这是一个NAND闪存的Cell，也就是用来存储数据的单元。NAND 闪存的存储单元是浮栅晶体管，通过电子注入和释放实现数据存储。其 “寿命” 核心是擦写次数（P/E Cycle）。
写入数据的时候，给Control Gate控制极加一个比Substrate底层更高的电压，底层的电子穿过lsolation Oxide Laver氧化绝缘层进入Floating Gate浮栅'。擦除的时候反过来给底层加电压，浮栅的电子穿过氧化绝缘层进入衬底。所以真正存数据或者说存电荷的就是那个Floating Gate浮栅。
物理损耗：每次擦写操作会对浮栅氧化层造成微小损伤，长期积累可能导致电子泄漏，最终使存储单元失效。
DRAM技术简单科普
这是一个DRAM内存 Cell，DRAM 的存储单元是电容 + 晶体管的结构，其工作机制决定了它与 NAND 闪存的本质区别。在写入数据的过程中，如果数据为1.电容被充电：数据为0则电容不被充电。所以存储数据的载体是电容。由于电容存在漏电现象，数据需要定期刷新（Refresh）（通常每 64ms 刷新一次）。刷新过程是读取并重写数据，而非像 NAND 一样擦除 - 写入的物理操作，因此不存在擦写损耗。
NAND最大的问题是电子不断在Floating Gate和Substrate之间穿梭，夹在两者之间的Isolation Oxide Layer氧化绝缘层会慢慢磨损，最后浮栅就没法正常存储电荷了。
DRAM除了MOSFET老化以外基本没什么可以损耗的地方，而且因为电容漏电很快不能长时间存储数据，DRAM本身就需要以很高的频率刷新给电容重新充电，以保持内部数据不丢失。不管你改没改内存的数据，这个过程几十毫秒就有一次。
DRAM 的 “寿命” 更接近普通电子元件的老化周期，常见失效原因包括：
电容漏电流增大：长期使用后电容性能下降，导致数据刷新失败。
晶体管性能衰退：阈值电压漂移可能引发逻辑错误。
温度与电压影响：高温或超频会加速硬件老化，但这属于渐进式损耗，而非 NAND 的 “擦写次数耗尽”。
两者物理构造不同，内存的DRAM是用给电容充电来存储的，充电了就是1，没电是0，但是维持时间短要不断刷新（给电容充电），不刷新了关机了电容放电资料就没了。只要电容还能充电就还能用，电容坏到完全不能充电不容易。NAND(SSD)里面用半导体电荷迁移来存储，半导体迁移次数多了能力会下降的，电子咔咔一顿迁移之后原子啥的也迁移了，极性分不开了。
欢迎加入半导体产业交流群xinkejiquan001（与行业大咖交流、互换名片）请备注名字+公司+岗位。